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HN1A01FE-GR,LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: HN1A01FE-GR,LF
説明: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 100mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 80MHz
サプライヤー装置パッケージ ES6
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 150mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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