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HN1A01FE-GR,LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	HN1A01FE-GR,LF
説明:	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ	2 PNP (Dual)
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	80MHz
サプライヤー装置パッケージ	ES6
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	150mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V