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HN1B04F(TE85L,F)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: HN1B04F(TE85L,F)
説明: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ NPN, PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ SM6
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 100mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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