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HN3A51F(TE85L,F)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: HN3A51F(TE85L,F)
説明: TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-74, SOT-457
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ SM6
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

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