Image is for reference only , details as Specifications

HN4B01JE(TE85L,F)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	HN4B01JE(TE85L,F)
説明:	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-553
トランジスタタイプ	NPN, PNP (Emitter Coupled)
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	80MHz
サプライヤー装置パッケージ	ESV
vイス(Max) @ Ib、Ic	250mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max)	150mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	120 @ 10MA, 100MA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V