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HN4C51J(TE85L,F)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	HN4C51J(TE85L,F)
説明:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	300mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-74A, SOT-753
トランジスタタイプ	2 NPN (Dual) Common Base
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	100MHz
サプライヤー装置パッケージ	SMV
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 1mA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 2mA, 6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	120V