画像は参考までに、仕様書を参照してください
MT3S111(TE85L,F)
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| データシート: | MT3S111(TE85L,F) |
| 説明: | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 利得 | 12dB |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 700mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 11.5GHz |
| サプライヤー装置パッケージ | S-Mini |
| 騷音図(dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 6V |
在庫が 6629 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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