画像は参考までに、仕様書を参照してください
MT3S111TU,LF
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| データシート: | MT3S111TU,LF |
| 説明: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 利得 | 12.5dB |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 800mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 3-SMD, Flat Leads |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 10GHz |
| サプライヤー装置パッケージ | UFM |
| 騷音図(dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 6V |
在庫が 57 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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