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MT3S113(TE85L,F)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート:	MT3S113(TE85L,F)
説明:	RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得	11.8dB
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	800mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	12.5GHz
サプライヤー装置パッケージ	S-Mini
騷音図(dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 30mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	5.3V