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MT3S20TU(TE85L)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: MT3S20TU(TE85L)
説明: RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 12dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 900mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-SMD, Flat Leads
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 7GHz
サプライヤー装置パッケージ UFM
騷音図(dB Typ @ f) 1.45dB @ 20mA, 5V
現在-コレクター・Ic (Max) 80mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 12V

在庫が 3000 pcs

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