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RN1104MFV,L3F

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: RN1104MFV,L3F
説明: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-723
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 47 kOhms
サプライヤー装置パッケージ VESM
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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