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RN1110MFV,L3F

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	RN1110MFV,L3F
説明:	TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Discontinued at Digi-Key
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-723
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1)	4.7 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	VESM
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 500µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	120 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V