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RN1444ATE85LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	RN1444ATE85LF
説明:	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Obsolete
-マックス	200mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
周波数-遷移	30MHz
サプライヤー装置パッケージ	S-Mini
vイス(Max) @ Ib、Ic	100mV @ 3mA, 30mA
現在-コレクター・Ic (Max)	300mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	200 @ 4mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	20V