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RN1901FETE85LF
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| データシート: | RN1901FETE85LF |
| 説明: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 100mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
| トランジスタタイプ | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 抵抗基地(R1) | 4.7kOhms |
| 周波数-遷移 | 250MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | ES6 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 4.7kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 4000 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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