画像は参考までに、仕様書を参照してください

RN1907FE,LF(CT

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: RN1907FE,LF(CT
説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 100mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ ES6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 3338 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

T810T-8T
STMicroelectronics
$1.17
BTB12-600BW3G
Littelfuse Inc.
$1.04
T810H-6G-TR
STMicroelectronics
$0
BTB16-600BRG
STMicroelectronics
$1.81
L4004L5TP
Littelfuse Inc.
$1.7