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RN1910FE,LF(CT

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: RN1910FE,LF(CT
説明: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 100mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ ES6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 120 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 5250 pcs

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