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RN1910FE(T5L,F,T)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	RN1910FE(T5L,F,T)
説明:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Discontinued at Digi-Key
-マックス	100mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1)	4.7kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	ES6
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	-
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	120 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V