画像は参考までに、仕様書を参照してください
RN2109MFV,L3F
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | RN2109MFV,L3F |
| 説明: | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-723 |
| トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
| 抵抗基地(R1) | 47 kOhms |
| サプライヤー装置パッケージ | VESM |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 22 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 64 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
最小: 1
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