RN2422TE85LF
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
データシート: | RN2422TE85LF |
説明: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部地位 | Active |
-マックス | 200mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
抵抗基地(R1) | 2.2 kOhms |
周波数-遷移 | 200MHz |
サプライヤー装置パッケージ | S-Mini |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 2.2 kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 800mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 65 @ 100mA, 1V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 60 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.09 | $0.09 | $0.09 |
最小: 1