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RN2422TE85LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: RN2422TE85LF
説明: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ S-Mini
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 1mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 800mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 65 @ 100mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 60 pcs

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