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RN2902FE,LF(CT

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: RN2902FE,LF(CT
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ ES6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 50 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 68 pcs

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