Image is for reference only , details as Specifications

RN2911FE(TE85L,F)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: RN2911FE(TE85L,F)
説明: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 100mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ ES6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 120 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 3975 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

RN1962TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1964TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
XN0421F00L
Panasonic Electronic Components
$0
EMH11FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
PUMD10,125
Nexperia USA Inc.
$0