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SSM3J306T(TE85L,F)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SSM3J306T(TE85L,F)
説明:	MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	117mOhm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス)	700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	TSM
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.4A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4V, 10V