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SSM6H19NU,LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SSM6H19NU,LF
説明: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 185mOhm @ 1A, 8V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-UDFN (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.2V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 8V

在庫が 80 pcs

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