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SSM6J216FE,LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SSM6J216FE,LF
説明:	MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVI
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
作動温度	150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	32mOhm @ 3.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	ES6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.5V, 4.5V