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SSM6J507NU,LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SSM6J507NU,LF
説明: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVI
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max +20V, -25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 20mOhm @ 4A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.25W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-UDFNB (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

在庫が 66 pcs

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