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SSM6J512NU,LF

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SSM6J512NU,LF
説明:	MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVII
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±10V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-WDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	16.2mOhm @ 4A, 8V
電力放蕩(マックス)	1.25W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-UDFNB (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	19.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 8V