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SSM6K217FE,LF

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SSM6K217FE,LF
説明: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 195mOhm @ 1A, 8V
電力放蕩(マックス) 500mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ ES6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.2V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 8V

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