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SSM6N35FE,LM

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SSM6N35FE,LM
説明: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
ベース部材番号 SSM6N35
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
サプライヤー装置パッケージ ES6 (1.6x1.6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
現在25%で安全連続(id) @°c 180mA

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