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TJ10S04M3L(T6L1,NQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
説明:	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVI
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	+10V, -20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	44mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	27W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK+
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	10A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V