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TK100E08N1,S1X

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK100E08N1,S1X
説明: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 255W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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