Image is for reference only , details as Specifications

TK100L60W,VQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK100L60W,VQ
説明:	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DTMOSIV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Super Junction
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3PL
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	18mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	797W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P(L)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V