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TK10Q60W,S1VQ

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK10Q60W,S1VQ
説明: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DTMOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 430mOhm @ 4.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 80W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 99 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.23 $2.19 $2.14
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