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TK10V60W,LVQ

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK10V60W,LVQ
説明: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DTMOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 4-VSFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 88.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 4-DFN-EP (8x8)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c 9.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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