画像は参考までに、仕様書を参照してください

TK11P65W,RQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK11P65W,RQ
説明:	MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DTMOSIV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 450µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	440mOhm @ 5.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	100W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c	11.1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V