TK12E60W,S1VX
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | TK12E60W,S1VX |
説明: | MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | DTMOSIV |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | Super Junction |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
作動温度 | 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 300mOhm @ 5.8A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 110W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-220 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 300V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 11.5A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 88 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.48 | $2.43 | $2.38 |
最小: 1