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TK12E60W,S1VX

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK12E60W,S1VX
説明: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DTMOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Super Junction
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 600µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V
電力放蕩(マックス) 110W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c 11.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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