画像は参考までに、仕様書を参照してください
TK31J60W,S1VQ
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | TK31J60W,S1VQ |
| 説明: | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | DTMOSIV |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | Super Junction |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 230W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3P(N) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 30.8A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 23 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.04 | $7.88 | $7.72 |
最小: 1
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