Image is for reference only , details as Specifications

TK35N65W,S1F

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK35N65W,S1F
説明:	MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	DTMOSIV
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	80mOhm @ 17.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	270W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c	35A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V