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TK3R1E04PL,S1X

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK3R1E04PL,S1X
説明: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSIX-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 500µA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 87W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 63.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4670pF @ 20V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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