画像は参考までに、仕様書を参照してください

TK40E06N1,S1X

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK40E06N1,S1X
説明:	MOSFET N CH 60V 40A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10.4mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	67W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	40A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V