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TK4A60DB(STA4,Q,M)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK4A60DB(STA4,Q,M)
説明: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ π-MOSVII
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2Ohm @ 1.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 35W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220SIS
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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