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TK4P55D(T6RSS-Q)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK4P55D(T6RSS-Q)
説明: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ π-MOSVII
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.88Ohm @ 2A, 10V
電力放蕩(マックス) 80W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D-Pak
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 550V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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