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TK55S10N1,LQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK55S10N1,LQ
説明:	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	6.5mOhm @ 27.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	157W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK+
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3280pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	55A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V