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TK56E12N1,S1X

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK56E12N1,S1X
説明: MOSFET N CH 120V 56A TO-220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 7mOhm @ 28A, 10V
電力放蕩(マックス) 168W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 120V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 60V
現在25%で安全連続(id) @°c 56A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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