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TK6Q65W,S1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TK6Q65W,S1Q
説明: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ DTMOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 180µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 60W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 300V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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