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TK9A55DA(STA4,Q,M)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TK9A55DA(STA4,Q,M)
説明:	MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	π-MOSVII
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	860mOhm @ 4.3A, 10V
電力放蕩(マックス)	40W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220SIS
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	550V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	8.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V