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TMBT3906,LM

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	TMBT3906,LM
説明:	TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Active
-マックス	320mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	PNP
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23
vイス(Max) @ Ib、Ic	400mV @ 5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max)	150mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 10mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V