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TMBT3906,LM

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: TMBT3906,LM
説明: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 320mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-23
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 150mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 10mA, 1V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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