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TPC6012(TE85L,F,M)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPC6012(TE85L,F,M)
説明: MOSFET N-CH 20V 6A VS6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSIV
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 20mOhm @ 3A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ VS-6 (2.9x2.8)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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