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TPC8018-H(TE12LQM)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPC8018-H(TE12LQM)
説明: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.6mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2265pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 18A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 60 pcs

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