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TPC8018-H(TE12LQM)

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPC8018-H(TE12LQM)
説明:	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4.6mOhm @ 9A, 10V
電力放蕩(マックス)	1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-SOP (5.5x6.0)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2265pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	18A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V