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TPC8113(TE12L,Q)

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPC8113(TE12L,Q)
説明: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10mOhm @ 5.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 11A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

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