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TPC8212-H(TE12LQ,M

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: TPC8212-H(TE12LQ,M
説明: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 450mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 21mOhm @ 3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP (5.5x6.0)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A

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