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TPCC8093,L1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPCC8093,L1Q
説明: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVII
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 500µA
作動温度 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.9W (Ta), 30W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1860pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 21A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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